RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
51
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
38
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2988
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link