RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3142
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link