RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3460
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link