RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2652
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link