RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3516
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link