RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2689
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link