RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
51
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
46
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2973
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-028.A00LF 4GB
Samsung M393B5270DH0-YH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link