RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2962
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link