RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
51
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
42
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2750
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link