RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
51
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
20
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3281
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link