RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3283
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link