RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3711
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905428-093.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link