RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
51
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
19
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3821
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link