RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3519
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link