RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2806
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link