RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2806
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link