RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3840
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link