RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3687
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link