RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
51
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
19
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3075
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link