RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
18.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
4219
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Elpida EBJ81UG8BAS0-DJ-F 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link