RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3890
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link