RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3495
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Elpida 99U5458-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link