RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
51
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
21
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
4293
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2133U1S 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link