RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2346
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link