RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
51
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
40
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2362
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Transcend Information TS9W9NESD-I 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link