RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
51
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
39
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2513
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link