RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2486
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-RD 4GB
Crucial Technology BLS4G3N18AES4.16FE 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link