RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2354
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link