RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2323
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link