RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
51
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2487
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link