RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3084
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link