RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
94
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
94
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
1334
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link