RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
94
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
94
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
1334
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link