RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
51
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
46
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2632
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link