RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
96
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
4.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
96
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
6.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
4.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
992
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link