RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3341
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link