RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2907
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link