RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3480
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link