RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
51
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
18
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2422
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link