RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3204
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kllisre 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link