RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
51
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
21
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3350
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link