RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3019
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.AU10C 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link