RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3226
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link