RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3739
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link