RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3456
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link