RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
49
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
37
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3373
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 99U5402-464.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link