RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
70
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
70
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
1838
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G16002 2GB
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link