RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2851
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link