RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
1633
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link