RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
1633
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link