RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3392
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link