RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3085
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link