RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2619
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link